典型文献
薄膜有机集成电容的制作工艺
文献摘要：
以PI-5型聚酰亚胺(PI)电子涂料为介质层,在99瓷氧化铝陶瓷基片表面通过磁控溅射、光刻、电镀、蚀刻等传统薄膜电路工艺制作有机集成电容.分别研究了PI旋涂转速、旋涂时间、热处理制程等参数对PI厚度和均匀性的影响,最终通过优化过程工艺参数,得到厚度与设计值相符的PI膜层,且膜厚均匀性优于±5％,有机电容的容值精度优于±5％.PI有机电容与薄膜及半导体电路工艺高度兼容,在集成无源器件(IPD)制造中有着广阔的应用前景,有利于新一代系统的微型化、多功能和高密度集成.
文献关键词：
聚酰亚胺(PI);有机电容;薄膜电路;集成无源器件(IPD)
中图分类号：
作者姓名：
张健;王春富;王贵华;王文博;李彦睿;秦跃利
作者机构：
中国电子科技集团公司第二十九研究所,四川 成都 610036
文献出处：
引用格式：
[1]张健;王春富;王贵华;王文博;李彦睿;秦跃利-.薄膜有机集成电容的制作工艺)[J].电子工艺技术,2022(02):71-73,80
A类：
薄膜电路,有机电容
B类：
制作工艺,聚酰亚胺,涂料,氧化铝陶瓷,陶瓷基片,磁控溅射,光刻,电镀,蚀刻,工艺制作,旋涂,热处理,制程,设计值,膜层,膜厚均匀性,艺高,集成无源器件,IPD,微型化,高密度集成
AB值：
0.291866
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