典型文献
基于CMOS高密度微电极阵列芯片的研究与设计
文献摘要：
为了使非侵入性电极在研究大脑神经活动中可避免愈伤组织与免疫反应的目的,在GSMC 130 nm工艺上设计并制备了一款可对神经细胞进行电刺激的高密度微电极阵列芯片,可精确地刺激个别目标神经元,并记录其电位变化.该芯片是由128行×128列像素和读出电路组成,像素整列采用卷帘式读出,每个像素由微电极及其信号处理电路组成,其像素面积为36.5μm×25.5μm.采用Cadence仿真软件对电路进行仿真,仿真结果表明,该芯片可用于高空间分辨率神经元网络活动的记录:工作电压为3.3 V,等效电荷噪声ENC为27e-,上升时间为1μs.
文献关键词：
微电极阵列;高密度;刺激模式;细胞外记录与刺激;高空间分辨率;集成电路
中图分类号：
作者姓名：
李丹凤;高超嵩;孙向明
作者机构：
华中师范大学物理科学与技术学院,湖北武汉430079
文献出处：
引用格式：
[1]李丹凤;高超嵩;孙向明-.基于CMOS高密度微电极阵列芯片的研究与设计)[J].电子设计工程,2022(07):15-20,25
A类：
27e,细胞外记录与刺激
B类：
CMOS,微电极阵列,研究与设计,非侵入性,大脑神经,愈伤组织,免疫反应,GSMC,神经细胞,电刺激,像素,读出电路,整列,卷帘式,信号处理电路,素面,Cadence,高空间分辨率,神经元网络,工作电压,电荷,ENC,上升时间,刺激模式,集成电路
AB值：
0.306163
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