典型文献
多靶共焦磁控溅射设备及工艺应用研究
文献摘要：
本文介绍了一种用于磷化铟(InP)器件金属剥离工艺的多靶共焦式磁控溅射设备.通过正交实验摸索不同靶基距、靶角度对薄膜均匀性的影响,在靶基距为110～140mm,靶角度处于20°～25°之间时薄膜均匀性优于5％.取最优薄膜均匀性的靶基距、靶角度,实验摸索了不同溅射气压下薄膜的台阶覆盖率,结果表明在一定溅射气压范围内,薄膜台阶覆盖率随溅射气压减小而增加.取最优薄膜均匀性的靶基距、靶角度及最优台阶覆盖率的溅射气压,实验摸索了不同溅射功率下基片的表面温度,结果表明在常用光刻胶耐温范围内,较优的溅射功率为300W～400W.
文献关键词：
磁控溅射;光电器件;磷化铟;金属化;台阶覆盖率
中图分类号：
作者姓名：
范江华;罗超;佘鹏程;黄也;何秋福;李明
作者机构：
中国电子科技集团公司第四十八研究所
文献出处：
引用格式：
[1]范江华;罗超;佘鹏程;黄也;何秋福;李明-.多靶共焦磁控溅射设备及工艺应用研究)[J].中国集成电路,2022(05):76-81
A类：
台阶覆盖,台阶覆盖率
B类：
共焦,磁控溅射,设备及工艺,工艺应用,磷化铟,InP,金属剥离,正交实验,薄膜均匀性,140mm,溅射气压,压减,溅射功率,基片,表面温度,光刻胶,耐温,300W,400W,光电器件,金属化
AB值：
0.279569
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