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单晶圆湿法清洗工艺中铝金属腐蚀问题研究
文献摘要：
在集成电路制造中,湿法清洗工艺中铝金属腐蚀是一种致命缺陷,它的出现将引发产品的可靠性问题.通过控制清洗过程中的工艺参数,增加起侧壁保护作用的铝金属氧化层的厚度,从而抑制铝金属腐蚀缺陷的产生.随着清洗溶液温度的降低,晶圆清洗后6h铝金属腐蚀缺陷数量明显减少;随着H2SO4标称质量分数由80％增加到105％,铝金属腐蚀缺陷数量减少;而H2SO4标称质量分数继续增加到115％时,铝金属腐蚀缺陷数量却增加.清洗溶液温度和H2SO4质量分数实验结果表明,更低的温度以及一定范围内的高H2SO4质量分数有利于促进铝金属氧化层的生成,强化侧壁保护,从而达到抑制铝金属腐蚀缺陷发生的目的 .
文献关键词：
铝金属腐蚀;湿法清洗;侧壁保护;集成电路制造;单晶圆
中图分类号：
作者姓名：
汤莉娟;周广伟;施海铭
作者机构：
上海华虹宏力半导体制造有限公司,上海 201203
文献出处：
引用格式：
[1]汤莉娟;周广伟;施海铭-.单晶圆湿法清洗工艺中铝金属腐蚀问题研究)[J].半导体技术,2022(01):46-49
A类：
单晶圆,铝金属腐蚀,侧壁保护
B类：
湿法清洗,清洗工艺,腐蚀问题,集成电路制造,致命,洗过,氧化层,腐蚀缺陷,溶液温度,洗后,6h,H2SO4,标称,达到抑制
AB值：
0.127091
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