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水汽侵入对Cu互连电迁移性能退化的影响机理
文献摘要：
随着超大规模集成电路(VLSI)工艺的发展及低介电常数(k)材料的引入,芯片及测试结构对于水汽侵入的影响愈加敏感,从而对Cu互连可靠性测试的准确性提出了严峻的挑战.通过设计的实验验证了水汽侵入对Cu互连电迁移性能退化的影响.借助失效分析手段,深入研究和讨论了水汽侵入的潜在影响机制.实验分析表明,水汽侵入对Cu互连的影响主要集中在使Cu互连金属自身发生氧化或使Ta/TaN金属阻挡层发生氧化两方面.基于该研究结果,提出了防止水汽侵入影响的有效措施,其对于保障Cu互连可靠性测试及集成电路制造工艺可靠性评估的准确性具有参考作用.
文献关键词：
可靠性;电迁移;Cu互连;水汽侵入;失效分析
中图分类号：
作者姓名：
范伟海;韩兆翔
作者机构：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,上海 201203
文献出处：
引用格式：
[1]范伟海;韩兆翔-.水汽侵入对Cu互连电迁移性能退化的影响机理)[J].半导体技术,2022(04):302-306
A类：
水汽侵入
B类：
互连,电迁移,迁移性能,性能退化,超大规模集成电路,VLSI,低介电常数,可靠性测试,失效分析,分析手段,潜在影响,TaN,阻挡层,止水,集成电路制造,制造工艺,工艺可靠性,可靠性评估,参考作用
AB值：
0.239972
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