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大面积高压GaN基LED设计与加工
文献摘要：
高压LED芯片是一种将一块大面积LED芯片分裂成多个互联的发光单元的新型芯片,与同样的传统大功率LED相比,高压LED芯片可由小电流、大电压驱动,其电流扩展性能和发光效率得到了提高.目前主流的LED芯片制备工艺和制备技术中存在制程工艺复杂、电极连接桥易断裂、漏电,发光效率低等问题.本文设计了一种大面积高压GaN基LED芯片,采用双层正胶工艺制作隔离槽光刻图形、合并制作CBL层与隔离槽桥侧壁绝缘层、PAD电极与电极搭桥等工艺制作了一款性能稳定、发光效率高的高压LED芯片.
文献关键词：
LED;高压;隔离槽
中图分类号：
作者姓名：
赵媛媛;武传龙;朱青
作者机构：
潍坊市知识产权保护中心,山东潍坊,261000
文献出处：
引用格式：
[1]赵媛媛;武传龙;朱青-.大面积高压GaN基LED设计与加工)[J].电子制作,2022(20):97-99
A类：
B类：
GaN,LED,一块,裂成,型芯,大功率,小电流,压驱,扩展性,发光效率,制备工艺,制备技术,制程,连接桥,漏电,工艺制作,隔离槽,光刻,CBL,侧壁,绝缘层,PAD,搭桥
AB值：
0.372552
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