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一种非易失性可重构场效应晶体管研究
文献摘要：
在传统可重构场效应晶体管基础上进行改进,提出一种非易失性浮动可编程栅极可重构场效应晶体管.设计引入非易失性电荷存储层作为浮动程序门,通过给浮动程序门加入一定的电荷,进一步促进正向导通并同时减小反向漏电流,在正常情况下只需要一个独立供电的控制门即可完成可重构要求.通过对比实验,分析电荷数量对转移特性的影响,获得正常工作下最理想电荷量.与传统器件相比,新设计实现了较低的亚阈值摆幅,在减小反向漏电时不会影响正向电流的大小,在实际应用中具有一定优势.
文献关键词：
可重构场效应晶体管;非易失性;浮动程序门;MOSFET器件
中图分类号：
作者姓名：
连丹纯;刘溪
作者机构：
沈阳工业大学信息科学与工程学院,沈阳110870
文献出处：
引用格式：
[1]连丹纯;刘溪-.一种非易失性可重构场效应晶体管研究)[J].微处理机,2022(04):14-17
A类：
可重构场效应晶体管,浮动程序门
B类：
非易失性,可编程,栅极,电荷存储,存储层,过给,向导,导通,并同,反向漏电流,转移特性,电荷量,设计实现,亚阈值摆幅,MOSFET
AB值：
0.211504
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