典型文献
6.5 kV SiC MOSFET的优化及开关特性
文献摘要：
优化设计了电力系统用6.5 kV SiC MOSFET,测得该器件的导通电流为25 A,阻断电压为6 800 V,器件的巴利加优值(BFOM)达到925 MW/cm2.基于感性负载测试电路测试了器件的高压开关瞬态波形.在此基础上,借助仿真软件构建6.5 kV SiC MOSFET芯片级和器件级仿真模型,通过改变器件元胞结构、阱区掺杂浓度、栅极电阻、寄生电感等参数,研究了 6.5 kV SiC MOSFET开关瞬态过程和电学振荡影响因素.结果表明,减小结型场效应晶体管(JFET)宽度有利于提高器件dV/dt能力,而源极寄生电感和栅极电阻是引起栅极电压振荡的重要因素.研究结果有助于分析研究6.5 kV SiC MOSFET在智能电网应用中的开关特性,使得基于SiC MOSFET的功率变换器系统具有更低的损耗、更高的频率和更高的可靠性.
文献关键词：
碳化硅(SiC);金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET);开关瞬态;栅电荷;栅极电压振荡
中图分类号：
作者姓名：
魏晓光;张文婷;申占伟;田丽欣;孙国胜;杨霏
作者机构：
先进输电技术国家重点实验室(国网智能电网研究院有限公司),北京 102209;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083
文献出处：
引用格式：
[1]魏晓光;张文婷;申占伟;田丽欣;孙国胜;杨霏-.6.5 kV SiC MOSFET的优化及开关特性)[J].半导体技术,2022(08):612-620
A类：
BFOM,栅极电压振荡
B类：
kV,SiC,MOSFET,开关特性,电力系统,得该,导通,通电,断电,巴利,MW,感性负载,负载测试,测试电路,电路测试,高压开关,开关瞬态,软件构建,芯片级,器件级,元胞,掺杂浓度,寄生电感,瞬态过程,电学,小结,场效应晶体管,JFET,dV,dt,智能电网,功率变换器,碳化硅,栅电荷
AB值：
0.332924
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