典型文献
NJFET器件饱和电流影响因子及工艺优化研究
文献摘要：
针对N沟道结型场效应晶体管(NJFET)在工艺制造过程中极易出现饱和电流一致性差的问题,从一次氧化、栅注入和栅推结等方面对饱和电流工艺影响因子开展了实验研究,并提出了工艺优化和控制方法,使器件饱和电流参数得到有效控制,一致性由6.90％改善至0.38％,圆片对档率由85％提升到96％以上,提升了器件产品质量,降低了成本.
文献关键词：
JFET;饱和电流;氧化;注入;退火
中图分类号：
作者姓名：
陈培仓;朱赛宁;潘建华;陈慧蓉
作者机构：
无锡中微晶园电子有限公司,江苏无锡214035
文献出处：
引用格式：
[1]陈培仓;朱赛宁;潘建华;陈慧蓉-.NJFET器件饱和电流影响因子及工艺优化研究)[J].微电子学,2022(06):1061-1064
A类：
NJFET
B类：
饱和电流,工艺优化研究,沟道,场效应晶体管,制造过程,电流一致性,工艺影响,件产品,退火
AB值：
0.25621
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