典型文献
SiC电力电子学产业化技术的创新发展(续)
文献摘要：
进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电子学进入产业化快速发展阶段.介绍了 SiC电力电子学在大尺寸SiC单晶,低成本SiC功率器件制造,SiC二极管、SiC MOSFET、SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT)和SiC门极关断晶闸管(GTO)等功率器件,SiC封装和模块,以及高开关频率SiC器件的应用创新等产业化技术方面的最新进展.其中包含了大尺寸SiC单晶生长技术,基于商用Si CMOS生产线的SiC功率器件制备新工艺,SiC二极管的新结构与新工艺,SiC MOSFET的超级结结构、FinFET结构、高k介质栅与可靠性技术,SiC IGBT和SiC GTO的n沟道新器件及载流子寿命增强新工艺,SiC功率模块的设计与新装联工艺,SiC功率器件应用的新拓扑结构,栅极驱动电路与抑制寄生效应的新技术等.分析和评价了 SiC电力电子学产业化的发展态势.
文献关键词：
SiC单晶;SiC二极管;SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET);SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT);SiC门极关断晶闸管(GTO);SiC功率模块
中图分类号：
作者姓名：
赵正平
作者机构：
中国电子科技集团有限公司,北京 100846
文献出处：
引用格式：
[1]赵正平-.SiC电力电子学产业化技术的创新发展(续))[J].半导体技术,2022(04):249-265,287
A类：
B类：
SiC,电力电子,电子学,产业化技术,宽禁带半导体,二极管,场效应晶体管,MOSFET,商品化,电动汽车,绿色能源,应用发展,大尺寸,功率器件,绝缘栅双极晶体管,IGBT,门极,关断,晶闸管,GTO,封装,高开关频率,应用创新,最新进展,单晶生长,商用,CMOS,生产线,器件制备,新工艺,新结构,结结,FinFET,可靠性技术,沟道,载流子寿命,功率模块,新装,装联,器件应用,拓扑结构,栅极驱动,驱动电路,寄生
AB值：
0.292662
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
