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无结场效应晶体管生化传感器研究进展
文献摘要：
基于无结场效应晶体管(JLFET)的生化传感器制备工艺简单,不存在传统场效应晶体管(FET)源漏结构引起的pn结杂质扩散等问题,因而备受重视.以工作机制可将其分为离子敏感型与介电调制型两大类,分别通过电解液向半导体转移电荷和调制栅介质电容使传感器阈值电压及电流发生变化以达到探测生化物质的目的.综述了两类JLFET生化传感器的工作原理,列举该器件在不同材料、结构等方面的改进并介绍其性能,以供微纳电子学与生物化学交叉学科领域的研究者参考.
文献关键词：
无结场效应晶体管(JLFET);生化传感器;电解质;传感层;介电调制
中图分类号：
作者姓名：
姜齐风;张静;魏淑华;张青竹;王艳蓉;李梦达;胡佳威;闫江
作者机构：
北方工业大学信息学院,北京 100144;中国科学院微电子研究所先导工艺研发中心,北京 100029
文献出处：
引用格式：
[1]姜齐风;张静;魏淑华;张青竹;王艳蓉;李梦达;胡佳威;闫江-.无结场效应晶体管生化传感器研究进展)[J].半导体技术,2022(11):854-864
A类：
JLFET,介电调制
B类：
无结,场效应晶体管,生化传感器,制备工艺,漏结,pn,杂质扩散,受重,离子敏感,敏感型,两大类,电解液,电荷,栅介质,阈值电压,生化物质,不同材料,电子学,生物化学,交叉学科,学科领域,电解质,传感层
AB值：
0.271909
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