典型文献
一种带有斜向扩展源的双栅隧穿场效应晶体管
文献摘要：
设计并研究了一种带有轻掺杂漏(LDD)和斜向扩展源(OES)的双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET),并利用Sentaurus TCAD仿真工具对栅长及扩展源长度等关键参数进行了仿真分析.对比了该器件与传统TFET的亚阈值摆幅、关态电流和开关电流比,并从器件的带带隧穿概率分析其优势.仿真结果表明,该器件的最佳数值开关电流比及亚阈值摆幅分别可达3.56×1012和24.5 mV/dec.另外,该DG-TFET在双极性电流和接触电阻方面性能良好,且具有较快的转换速率和较低的功耗.
文献关键词：
带带隧穿(BTBT);双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET);扩展源(ES);开关电流比;亚阈值摆幅(SS)
中图分类号：
作者姓名：
熊承诚;孙亚宾;石艳玲
作者机构：
华东师范大学通信与电子工程学院,上海 200241
文献出处：
引用格式：
[1]熊承诚;孙亚宾;石艳玲-.一种带有斜向扩展源的双栅隧穿场效应晶体管)[J].半导体技术,2022(02):94-99,139
A类：
双极性电流
B类：
斜向,展源,隧穿场效应晶体管,LDD,OES,DG,TFET,Sentaurus,TCAD,仿真工具,亚阈值摆幅,开关电流比,带带隧穿,概率分析,mV,dec,接触电阻,换速,功耗,BTBT,SS
AB值：
0.288155
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