典型文献
14 nm FinFET工艺下栅隔离型二极管的ESD防护性能研究
文献摘要：
当集成电路工艺进步到鳍式场效应晶体管(FinFET)技术节点时,二极管仍广泛用于输入/输出端口(I/O)的静电放电(ESD)防护工程,但二极管单位宽度鲁棒性比平面工艺有所降低.文章基于14 nm FinFET工艺,对栅隔离型二极管的失效电流(It2)、失效电压(Vt2)、单位宽度失效电流(It2/Width)以及单位面积失效电流(It2/Area)进行了详细研究,并给出了 ESD器件特性随尺寸参数的变化趋势.实测数据表明,It2/Width 随着Fin数目(nfin)、沿Fin方向的倍乘因子(Fn)、垂直于Fin方向的倍乘因子(Yarray)等的增加均会有所降低,但It2/Area却有所提高,且开启电阻几乎不受nfin和Fn的影响.
文献关键词：
鳍式场效应晶体管;静电放电;栅隔离型二极管;混合二极管
中图分类号：
作者姓名：
王俊
作者机构：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司设计服务部,上海201203
文献出处：
引用格式：
[1]王俊-.14 nm FinFET工艺下栅隔离型二极管的ESD防护性能研究)[J].微电子学,2022(05):915-920
A类：
栅隔离型二极管,It2,Vt2,nfin,Yarray,混合二极管
B类：
FinFET,ESD,防护性能,集成电路工艺,鳍式场效应晶体管,输出端,端口,静电放电,防护工程,平面工艺,Width,单位面积,Area,器件特性,尺寸参数,Fn,垂直于
AB值：
0.197285
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