典型文献
h-BN/Al2O3栅介质氢终端金刚石场效应晶体管
文献摘要：
金刚石是实现高频大功率器件的理想候选材料,但是其较低的载流子迁移率制约了器件的性能,六方氮化硼(h-BN)作为氢终端金刚石场效应晶体管(FET)的栅介质材料有望提升金刚石材料的载流子迁移率.利用商业化大面积h-BN材料,制备了 h-BN/Al2O3栅介质的氢终端金刚石FET,h-BN/Al2O3/氢终端金刚石材料的载流子迁移率得到提升,达到186 cm2/(V·s).相较于Al2O3栅介质的金刚石FET,h-BN/Al2O3栅介质的金刚石FET最大饱和电流密度和最大跨导均得到提升,分别为141 mA/mm和9.7 mS/mm.通过电容-电压(C-V)测试计算了栅介质和金刚石间界面固定电荷密度和陷阱密度,h-BN/Al2O3栅介质的金刚石FET界面负固定电荷密度为5.4×1012 cm-2·eV-1,低于Al2O3栅介质的金刚石FET(8.5×1012 cm-2·eV-1).固定电荷密度低、载流子迁移率高是h-BN/Al2O3栅介质金刚石FET性能提升的主要原因.
文献关键词：
金刚石;场效应晶体管(FET);氢终端;六方氮化硼(h-BN);栅介质
中图分类号：
作者姓名：
王维;蔚翠;何泽召;周闯杰;郭建超;马孟宇;高学栋;冯志红
作者机构：
中国电子科技集团公司 第十三研究所,石家庄 050051;专用集成电路重点实验室,石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]王维;蔚翠;何泽召;周闯杰;郭建超;马孟宇;高学栋;冯志红-.h-BN/Al2O3栅介质氢终端金刚石场效应晶体管)[J].半导体技术,2022(09):687-691,724
A类：
氢终端金刚石
B类：
BN,Al2O3,栅介质,石场,场效应晶体管,大功率器件,选材,载流子迁移率,六方氮化硼,FET,介质材料,金刚石材料,饱和电流,电流密度,大跨,mA,mS,电荷密度,陷阱,eV,性能提升
AB值：
0.134513
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