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槽栅型SiC MOSFET器件单粒子响应特性研究
文献摘要：
利用TCAD Sentaurus模拟仿真软件,研究分析了三种不同结构的槽栅型1 200 V SiC MOSFET单粒子响应特性,器件包括传统单沟槽 MOSFET、双沟槽 MOSFET和非对称沟槽MOSFET结构.仿真结果表明,双沟槽MOSFET的抗单粒子特性优于其它两种结构器件.通过分析可知,双沟槽MOSFET结构的优越性在于有较深的源极深槽结构,有助于快速收集单粒子碰撞过程产生的载流子,从而缓解大量载流子聚集带来的内部电热集中,相比其它两种结构能有效抑制引起单粒子烧毁的反馈机制.
文献关键词：
碳化硅场效应晶体管;单粒子效应;槽栅型结构;电热反馈
中图分类号：
作者姓名：
成国栋;陆江;翟露青;白云;田晓丽;左欣欣;杨成樾;汤益丹;陈宏;刘新宇
作者机构：
中国科学院大学微电子学院,北京100029;中国科学院微电子研究所,北京100029;淄博美林电子有限公司,山东淄博255000
文献出处：
引用格式：
[1]成国栋;陆江;翟露青;白云;田晓丽;左欣欣;杨成樾;汤益丹;陈宏;刘新宇-.槽栅型SiC MOSFET器件单粒子响应特性研究)[J].微电子学,2022(03):466-472
A类：
单沟槽,碳化硅场效应晶体管,槽栅型结构,电热反馈
B类：
SiC,MOSFET,响应特性,TCAD,Sentaurus,模拟仿真,双沟,深槽,载流子,单粒子烧毁,反馈机制,单粒子效应
AB值：
0.20319
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