典型文献
二硫化锡薄膜场效应晶体管的可见光探测特性
文献摘要：
采用化学气相输运(CVT)法和微机械剥离技术制备了SnS2薄膜,使用Au电极作为源、漏电极,n型重掺杂Si作为栅极,制备了基于SnS2薄膜的背栅型场效应晶体管(FET),并研究了其电学特性和可见光探测特性.结果 表明,制备的SnS2薄膜具有良好的结晶度,SnS2薄膜背栅型FET具备良好的栅压调控特性.器件对波长为405 nm的蓝紫光表现出明显的光响应,光响应度高达456.82 A·W-1,外量子效率为1.40× 105％,比探测率为7.12× 1012 Jones,并且具有较快的光响应速度,上升和下降响应时间分别为1 ms和0.5 ms.器件的光探测性能受栅压调控,当栅压为40 V时,器件的光响应度可达730 A·W-1.
文献关键词：
二硫化锡(SnS2);场效应晶体管(FET);可见光探测器;光响应度;栅压调控
中图分类号：
作者姓名：
景永凯;范超;孟宪成;刘哲;王蒙军;郑宏兴;杨瑞霞
作者机构：
河北工业大学电子信息工程学院,天津300401
文献出处：
引用格式：
[1]景永凯;范超;孟宪成;刘哲;王蒙军;郑宏兴;杨瑞霞-.二硫化锡薄膜场效应晶体管的可见光探测特性)[J].半导体技术,2022(02):87-93,104
A类：
栅压调控,可见光探测器
B类：
二硫化锡,场效应晶体管,探测特性,输运,CVT,微机械,机械剥离,剥离技术,SnS2,Au,漏电,Si,栅极,FET,电学特性,结晶度,蓝紫光,光表,光响应度,外量子效率,比探测率,Jones,响应速度,响应时间,ms,探测性能
AB值：
0.269874
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