典型文献
将摩尔定律推向新高度
文献摘要：
晶体管的演变
持续创新是摩尔定律的重要基础,但每一项改进都伴随着权衡取舍.要理解这些权衡以及它们为什么必然将我们引向3D堆叠CMOS,我们需要了解一点晶体管运行的背景知识.
每种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)都有一套相同的基本部件:栅极叠层、沟道区、源极和漏极.源极和漏极经过化学掺杂后会富含移动电子(n型)或者缺乏移动电子(p型).沟道区的掺杂情况则与源极和漏极相反.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
Marko Radosavljevic;Jack Kavalieros
作者机构：
文献出处：
引用格式：
[1]Marko Radosavljevic;Jack Kavalieros-.将摩尔定律推向新高度)[J].科技纵览,2022(12):32-37
A类：
B类：
摩尔定律,推向,持续创新,每一项,取舍,引向,堆叠,CMOS,背景知识,金属氧化物半导体场效应晶体管,MOSFET,本部,栅极,叠层,沟道,化学掺杂,后会
AB值：
0.392143
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