典型文献
基于高肖特基势垒的高导通电流隧穿场效应晶体管
文献摘要：
为改善双边栅和辅助栅控制的高肖特基势垒隧穿场效应晶体管性能,提出一种基于高肖特基势垒的高导通电流隧穿场效应晶体管.新设计的硅体被刻蚀成U型结构,通过刻蚀硅体两侧形成垂直插入式源漏接触,将源漏电极插入U型硅体两侧垂直部分的一定高度,使源漏接触附近带带隧穿产生区的有效面积显著增加,从而实现更高的开态电流.通过实验,将新结构与HSB-BTFET比较,表明HOSC-HSB-BTFET结构可以实现更高的开态电流、更低的反向漏电流、更小的亚阈值摆幅和更高的开关电流比.
文献关键词：
高肖特基势垒;高导通电流;U型栅;亚阈值摆幅
中图分类号：
作者姓名：
赵瑞英;靳晓诗
作者机构：
沈阳工业大学信息科学与工程学院,沈阳110870
文献出处：
引用格式：
[1]赵瑞英;靳晓诗-.基于高肖特基势垒的高导通电流隧穿场效应晶体管)[J].微处理机,2022(03):13-16
A类：
高肖特基势垒,高导通电流,势垒隧穿,BTFET,HOSC
B类：
隧穿场效应晶体管,栅控,刻蚀,蚀成,直插,插入式,漏接,带带隧穿,有效面积,开态电流,新结构,HSB,反向漏电流,亚阈值摆幅,开关电流比
AB值：
0.213884
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