典型文献
0.8～3.2 GHz 6 bit MMIC数字移相器的设计与实现
文献摘要：
基于0.25 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款0.8～3.2 GHz高精度6 bit单片微波集成电路(MMIC)数字移相器.该移相器的5.625°、11.25°和22.5°移相单元采用开关选择型全通/T型低通网络拓扑结构,45°、90.和180.移相单元采用开关选择型全通网络(APN)拓扑结构.通过在APN两侧增加串联电容,在两级APN之间增加高通网络(HPN)及简化APN结构实现了芯片的高移相精度和小型化.移相器驱动单元采用直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL)结构.测试结果表明:在0.8～3.2 GHz频率范围内插入损耗小于18 dB,移相态的均方根(RMS)相位误差小于4.5°,移相寄生调幅小于±1 dB,输入电压驻波比(VSWR)小于1.7,输出VSWR小于1.9.芯片尺寸为5.0 mm×2.0 mm×0.1 mm.
文献关键词：
移相器;GaAs;赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT);超宽带(UWB);高精度;全通网络(APN);低通网络(LPN)
中图分类号：
作者姓名：
王坤;周宏健;周睿涛;李光超;苏郁秋
作者机构：
中科芯集成电路有限公司,江苏无锡 214000
文献出处：
引用格式：
[1]王坤;周宏健;周睿涛;李光超;苏郁秋-.0.8～3.2 GHz 6 bit MMIC数字移相器的设计与实现)[J].半导体技术,2022(04):320-324
A类：
全通网络,DCFL
B类：
GHz,bit,MMIC,数字移相器,GaAs,赝配高电子迁移率晶体管,PHEMT,单片微波集成电路,网络拓扑结构,APN,两级,HPN,移相精度,小型化,驱动单元,直接耦合,耦合场,场效应晶体管,内插,插入损耗,dB,相态,RMS,相位误差,寄生调幅,输入电压,电压驻波比,VSWR,芯片尺寸,超宽带,UWB,LPN
AB值：
0.302921
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