典型文献
具有高电流密度的小电流沟槽肖特基势垒二极管
文献摘要：
研制了一种DFN1006-2L封装的小电流沟槽肖特基势垒二极管,其具有高电流密度、超低正向压降和低漏电特性.与常规平行条状结构排布的沟槽肖特基势垒二极管不同,该器件采用圆形网状结构排布设计,增加了器件中肖特基区域面积,提高了电流密度、降低了正向压降.该器件基于6英寸(1英寸=2.54 cm)CMOS工艺平台制备.与采用SOD-323封装的1 A、40 V平面小电流肖特基势垒二极管B5819WS相比,通过对沟槽结构关键尺寸和工艺条件的设计和优化,封装尺寸缩小88％,电流密度555 A/cm2下正向压降典型值为0.519 V,反向电流100pA下反向击穿电压为48.98 V,反向电压40 V下反向漏电流为3.02 μA.该器件具有更高的电流密度,可满足印制电路板(PCB)小型化需求.
文献关键词：
沟槽肖特基势垒二极管;正向压降;反向电流;电流密度;方形扁平无引脚(DFN)封装
中图分类号：
作者姓名：
庄翔;张超
作者机构：
江苏捷捷微电子股份有限公司,江苏南通 226000;捷捷半导体有限公司,江苏南通 226000
文献出处：
引用格式：
[1]庄翔;张超-.具有高电流密度的小电流沟槽肖特基势垒二极管)[J].半导体技术,2022(03):199-204
A类：
沟槽肖特基势垒二极管,DFN1006,正向压降,B5819WS,100pA
B类：
高电流密度,小电流,2L,封装,电特性,条状,排布,网状结构,布设,基区,区域面积,英寸,CMOS,台制,沟槽结构,关键尺寸,工艺条件,设计和优化,典型值,反向电流,击穿电压,反向电压,反向漏电流,足印,印制电路板,PCB,小型化,方形,扁平,引脚
AB值：
0.24033
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