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SiC晶圆背面激光退火工艺研究
文献摘要：
降低芯片背面金属-半导体欧姆接触电阻是有效提高器件性能的方式之一.采用650 V SiC肖特基势垒二极管(SBD)工艺,使用波长355 nm不同能量的脉冲激光进行退火实验,利用X射线衍射(XRD)和探针台对晶圆背面镍硅合金进行测量分析,得出最佳能量为3.6 J/cm2.退火后采用扫描电子显微镜(SEM)观察晶圆背面碳团簇,针对背面的碳团簇问题,在Ar2气氛下对晶圆进行了表面处理,使用SEM和探针台分别对两组样品的表面形貌和电压-电流特性进行了对比分析.实验结果表明,通过表面处理可以有效降低表面的碳含量,并且使器件正向压降均值降低了6％,利用圆形传输线模型(CTLM)测得芯片的比导通电阻为9.7×10-6 Ω·cm2.器件性能和均匀性都得到提高.
文献关键词：
SiC;激光退火;镍硅化物;欧姆接触;碳团簇
中图分类号：
作者姓名：
吴嘉兴;刘英坤;谭永亮;刘佳佳
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051
文献出处：
引用格式：
[1]吴嘉兴;刘英坤;谭永亮;刘佳佳-.SiC晶圆背面激光退火工艺研究)[J].半导体技术,2022(02):117-121,151
A类：
碳团簇,Ar2,正向压降,CTLM,镍硅化物
B类：
SiC,晶圆,背面,激光退火,退火工艺,欧姆接触,接触电阻,器件性能,肖特基势垒二极管,SBD,脉冲激光,探针台,镍硅合金,测量分析,佳能,表面处理,表面形貌,碳含量,传输线模型,比导通电阻
AB值：
0.249231
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