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射频磁控溅射氧气流量对制备的Ga2O3:Cr薄膜光致发光性能的影响
文献摘要：
在不同氧气流量下,采用双靶射频磁控共溅射的方法在蓝宝石(α-Al2 O3)基底上制备得到系列掺Cr的Ga2 O3(Ga2 O3:Cr)薄膜,详细研究了薄膜在900℃退火前后的结构和光学性能.结果表明,未退火的Ga2 O3:Cr薄膜为非晶结构,其发光主要位于蓝绿波段.经900℃退火后,薄膜的结构由非晶变为多晶,且在近红外波段观测到了来源于Cr3+掺杂的发光.退火后的薄膜结晶质量和近红外发光均与氧气流量密切相关,而其光学带隙不受氧气流量的影响.在所研究的氧气流量范围,4 mL/min氧气流量下薄膜的近红外发光强度最强,这与此条件下薄膜结晶质量较好以及Cr3+替代Ga3+的数量较多有关.以上研究成果可为制备高质量Ga2 O3:Cr薄膜提供参考.
文献关键词：
Ga2O3:Cr薄膜;射频磁控溅射;蓝宝石基底;氧气流量;退火;光学性能;结晶质量
中图分类号：
作者姓名：
赵鑫;刘粉红;张晓东;刘昌龙
作者机构：
天津大学理学院,天津 300354;天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室,天津 300350
文献出处：
引用格式：
[1]赵鑫;刘粉红;张晓东;刘昌龙-.射频磁控溅射氧气流量对制备的Ga2O3:Cr薄膜光致发光性能的影响)[J].人工晶体学报,2022(08):1353-1360
A类：
B类：
射频磁控溅射,氧气流量,Ga2O3,光致发光,发光性能,共溅射,Al2,退火,光学性能,未退,非晶,蓝绿,绿波,晶变,多晶,近红外波段,Cr3+,膜结晶,结晶质量,近红外发光,光学带隙,发光强度,此条,Ga3+,蓝宝石基底
AB值：
0.26819
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