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AlGaN基深紫外LED的外延生长及光电性能研究
文献摘要：
AlGaN基材料作为带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外光电子器件的理想材料.在无法获得大尺寸、低成本的同质衬底的情况下,高质量AlN薄膜的异质外延是促进紫外光电子器件发展的关键.本文中,通过调节蓝宝石衬底上AlN的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长模式产生高密度纳米级孔洞,利用纳米级孔洞降低AlN的位错,并在此基础上外延了AlGaN量子阱结构,得到了275 nm波段的深紫外LED薄膜,并制备了开启电压约为4.8 V,反向漏电电流仅为2.23μA(-3.0 V电压时)的深紫外LED器件.
文献关键词：
AlN薄膜;AlGaN材料;紫外LED;异质外延;纳米级孔洞
中图分类号：
作者姓名：
李路;徐俞;曹冰;徐科
作者机构：
苏州大学光电科学与工程学院,苏州 215006;江苏省先进光学制造技术重点实验室和教育部现代光学技术重点实验室,苏州 215006;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123
文献出处：
引用格式：
[1]李路;徐俞;曹冰;徐科-.AlGaN基深紫外LED的外延生长及光电性能研究)[J].人工晶体学报,2022(07):1158-1162
A类：
纳米级孔洞
B类：
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AB值：
0.29321
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