典型文献
Mg,N掺杂β-Ga2O3光电性质的第一性原理计算
文献摘要：
通过基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了Mg单掺杂、N单掺杂和不同浓度的Mg-N共掺杂β-Ga2 O3的结构性质、电子性质和光学性质,以期获得性能比较优异的p型β-Ga2 O3材料.建立了五种模型:Mg单掺杂、N单掺杂、1个Mg-N共掺杂、2个Mg-N共掺杂和3个Mg-N共掺杂β-Ga2 O3.经过计算,3个Mg-N共掺杂β-Ga2 O3体系的结构最稳定.此外,在5种模型中,3个Mg-N共掺杂β-Ga2 O3体系的禁带宽度是最小的,并且N 2p和Mg 3s贡献的占据态抑制了氧空位的形成,从而增加了空穴浓度.因此,3个Mg-N共掺杂β-Ga2 O3体系表现出优异的p型性质.3个Mg-N共掺杂体系的吸收峰出现明显红移,在太阳盲区的光吸收系数较大,这归因于导带Ga 4s、Ga 4p、Mg 3s向价带O 2p、N 2p的带间电子跃迁.本工作将为p型β-Ga2 O3日盲光电材料的研究和应用提供理论指导.
文献关键词：
β-Ga2O3;掺杂;p型掺杂;结构性质;电子性质;光学性质;第一性原理
中图分类号：
作者姓名：
任姗姗;付小倩;赵贺;王洪刚
作者机构：
济南大学信息科学与工程学院,济南 250022;山东省网络环境智能计算技术重点实验室,济南 250022;鲁东大学信息与电气工程学院,烟台 264025
文献出处：
引用格式：
[1]任姗姗;付小倩;赵贺;王洪刚-.Mg,N掺杂β-Ga2O3光电性质的第一性原理计算)[J].人工晶体学报,2022(01):56-64
A类：
B类：
Mg,Ga2O3,光电性质,第一性原理计算,基于密度,密度泛函理论,共掺杂,结构性质,电子性质,光学性质,获得性,性能比较,禁带宽度,2p,3s,氧空位,空穴浓度,吸收峰,红移,盲区,光吸收系数,归因于,导带,4s,4p,价带,跃迁,日盲,光电材料,研究和应用
AB值：
0.279011
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