典型文献
雾化辅助化学气相沉积法氧化镓薄膜生长研究
文献摘要：
采用自主设计搭建的雾化辅助化学气相沉积系统设备,开展了Ga2 O3薄膜制备及其特性研究工作.通过X射线衍射研究了沉积温度、系统沉积压差对Ga2 O3薄膜结晶质量的影响.结果表明,Ga2 O3在425～650℃温度区间存在物相转换关系.随着沉积温度从425℃升高至650℃,薄膜结晶分别由非晶态、纯 α-Ga2 O3结晶状态向 α-Ga2 O3、β-Ga2 O3两相混合结晶状态改变.通过原子力显微镜表征探究了生长温度对Ga2 O3薄膜表面形貌的影响,从475℃升高至650℃时,薄膜表面粗糙度由26.8 nm下降至24.8 nm.同时,高分辨X射线衍射仪测试表明475℃、5 Pa压差条件下的α-Ga2 O3薄膜样品半峰全宽仅为190.8″,为高度结晶态的单晶α-Ga2 O3薄膜材料.
文献关键词：
Ga2O3;薄膜;雾化辅助化学气相沉积;沉积温度;压差;单晶;半导体
中图分类号：
作者姓名：
罗月婷;肖黎;陈远豪;梁昌兴;龚恒翔
作者机构：
重庆理工大学理学院,重庆 400054;重庆理工大学,绿色能源材料技术与系统重庆市重点实验室,重庆 400054
文献出处：
引用格式：
[1]罗月婷;肖黎;陈远豪;梁昌兴;龚恒翔-.雾化辅助化学气相沉积法氧化镓薄膜生长研究)[J].人工晶体学报,2022(07):1163-1168
A类：
雾化辅助化学气相沉积
B类：
化学气相沉积法,氧化镓,薄膜生长,自主设计,系统设备,薄膜制备,沉积温度,积压,压差,膜结晶,结晶质量,温度区间,存在物,转换关系,非晶态,结晶状,相混,状态改变,原子力显微镜,表面形貌,表面粗糙度,测试表明,Pa,半峰全宽,单晶,薄膜材料,Ga2O3
AB值：
0.256113
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