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典型文献
通过双中温AlN插入层提高半极性(1122)面AlN薄膜的表面形貌和晶体质量
文献摘要:
利用金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石衬底上生长了一系列具有双中温AlN插入层(MTG-AlN)的半极性AlN薄膜样品.中温生长的AlN插入层具有较大的表面粗糙度,形成了类似纳米级图形化衬底结构,能够有效阻断高温生长的半极性AlN样品中堆垛层错的传播,从而提高半极性AlN样品的表面形貌和晶体质量.通过原子力显微镜和X射线衍射仪的表征,研究了 MTG-AlN插入层厚度在20~100 nm之间的变化对半极性AlN样品的表面形貌和晶体质量的影响.结果表明,所有半极性AlN样品都具有[1122]取向.当插入的MTG-AlN中间层厚度约为80 nm时,半极性AlN样品表面粗糙度显著降低,晶体质量明显改善.
文献关键词:
双中温AlN插入层;半极性AlN;表面形貌;晶体质量
作者姓名:
崔佳;罗旭光;张雄;崔一平
作者机构:
东南大学先进光子学中心,南京210096
文献出处:
引用格式:
[1]崔佳;罗旭光;张雄;崔一平-.通过双中温AlN插入层提高半极性(1122)面AlN薄膜的表面形貌和晶体质量)[J].半导体光电,2022(03):505-509
A类:
B类:
AlN,插入层,表面形貌,晶体质量,金属有机化学气相沉积,蓝宝石衬底,上生,MTG,表面粗糙度,纳米级,图形化,堆垛,层错,原子力显微镜,中间层厚度
AB值:
0.184572
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