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Eu3+离子注入β-Ga2O3单晶的应力变化和发光性质研究
文献摘要：
采用离子注入法制备了不同剂量的β-Ga2 O3:Eu3+样品,并在空气中进行了退火处理,成功实现了Eu3+的光学激活.通过拉曼和X射线衍射表征了β-Ga2 O3晶体随Eu3+注入剂量的应力变化趋势,发现随着Eu3+剂量的增加,晶格应力先增加后减少,并对其内在机理进行了分析.利用阴极荧光光谱对晶体的发光性质进行了表征,主要观察到峰值位于380 nm附近、宽的缺陷发光峰以及峰值位于591 nm、597 nm和613 nm的Eu3+发光峰.通过高斯拟合发现,该380 nm发光峰主要由360 nm、398 nm和442 nm三个子峰构成,分别与自陷激子和施主-受主对有关.此外,Eu3+发光峰位置与强度受到基质局域晶体场的影响.
文献关键词：
氧化镓;铕;应力;发光性质;缺陷;离子注入;高斯拟合
中图分类号：
作者姓名：
王丹;王晓丹;夏长泰;赛青林;曾雄辉
作者机构：
苏州科技大学物理科学与技术学院,江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室,苏州 215009;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123
文献出处：
引用格式：
[1]王丹;王晓丹;夏长泰;赛青林;曾雄辉-.Eu3+离子注入β-Ga2O3单晶的应力变化和发光性质研究)[J].人工晶体学报,2022(04):600-605
A类：
B类：
Eu3+,离子注入,Ga2O3,单晶,应力变化,发光性质,注入法,不同剂量,退火处理,拉曼,射表,注入剂量,晶格,内在机理,阴极荧光,荧光光谱,高斯拟合,自陷激子,施主,局域,晶体场,氧化镓
AB值：
0.338107
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