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生长气压对分子束外延β-Ga2O3薄膜特性的影响
文献摘要：
本文采用分子束外延技术在具有6°斜切角的c面蓝宝石衬底上外延β-Ga2 O3薄膜,系统研究了生长气压对薄膜特性的影响.X射线衍射谱和表面形貌分析表明,不同生长气压下所外延的薄膜表面平整,均具有(201)择优取向.并且,其结晶质量和生长速率均随生长气压增大而逐渐提高.通过X射线光电子能谱分析发现,生长气压增大使得氧空位的浓度大幅下降,高价态Ga比例增大,最终使得O/Ga原子数之比接近理想Ga2 O3材料的化学计量比值.利用Tauc公式和乌尔巴赫带尾模型进行计算,结果表明随着生长气压的增大,样品的光学带隙由4.94 eV增加到5.00 eV,乌尔巴赫能量由0.47 eV下降到0.32 eV,证明了生长气压的增大有利于降低薄膜中的缺陷密度,提高薄膜晶体质量.
文献关键词：
β-Ga2O3薄膜;分子束外延;生长气压;缺陷密度;晶体质量;光学特性
中图分类号：
作者姓名：
蔡文为;刘祥炜;王浩;汪建元;郑力诚;王永嘉;周颖慧;杨旭;李金钗;黄凯;康俊勇
作者机构：
厦门大学物理学系,半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心,福建省半导体材料及应用重点实验室,微纳光电子材料与器件教育部工程研究中心,厦门 361005;厦门市未来显示技术研究院,嘉庚创新实验室,厦门 361005
文献出处：
引用格式：
[1]蔡文为;刘祥炜;王浩;汪建元;郑力诚;王永嘉;周颖慧;杨旭;李金钗;黄凯;康俊勇-.生长气压对分子束外延β-Ga2O3薄膜特性的影响)[J].人工晶体学报,2022(07):1152-1157
A类：
生长气压
B类：
分子束外延,Ga2O3,斜切,切角,蓝宝石衬底,表面形貌,形貌分析,择优取向,结晶质量,生长速率,光电子能谱分析,大使,氧空位,高价,价态,终使,原子数,之比,近理,化学计量比,Tauc,乌尔,尔巴,巴赫,光学带隙,eV,缺陷密度,晶体质量,光学特性
AB值：
0.298673
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