典型文献
具有室温铁磁性和高空穴迁移率的锰掺杂硅锗薄膜
文献摘要：
本文采用超高真空化学气相沉积系统在锗衬底上外延生长了第Ⅳ族硅锗薄膜,然后通过离子注入和快速热退火进行锰元素掺杂.结构测试表明,外延的硅锗薄膜是具有均匀拉伸应变的单晶,随后的离子注入和快速热退火使其变为多晶.磁性测试表明,退火后的薄膜表现出依赖于锰掺杂浓度的铁磁性,居里温度最高可达309 K;X射线磁圆二色谱揭示了替代位锰元素的自旋和轨道磁矩.为最大限度地减少反常霍尔效应的影响,磁输运测试在高达31T的强磁场下进行,该薄膜在300 K温度下空穴迁移率达到创纪录的～1230 cm2 V-1 s-1.此高迁移率归因于样品较高的结晶质量和拉伸应变对能带的调制.本文首次展示了具有室温铁磁性和高载流子迁移率的锰掺杂硅锗薄膜,有望促进基于第Ⅳ族半导体的自旋电子材料与器件的实际应用.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
申笠蒙;张析;王佳琪;汪建元;李成;向钢
作者机构：
文献出处：
引用格式：
[1]申笠蒙;张析;王佳琪;汪建元;李成;向钢-.具有室温铁磁性和高空穴迁移率的锰掺杂硅锗薄膜)[J].中国科学：材料科学（英文）,2022(10):2826-2832
A类：
31T
B类：
室温铁磁性,空穴迁移率,锰掺杂,锗薄膜,超高真空,空化,化学气相沉积,锗衬底,外延生长,离子注入,快速热退火,锰元素,元素掺杂,结构测试,测试表明,拉伸应变,单晶,多晶,掺杂浓度,居里温度,圆二色谱,代位,自旋,磁矩,反常霍尔效应,输运,强磁场,场下,创纪录,高迁移率,归因于,结晶质量,高载流,载流子迁移率,电子材料与器件
AB值：
0.333738
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