典型文献
GaAs衬底上β-Ga2O3纳米点阵薄膜的MOCVD制备
文献摘要：
将热氧化与MOCVD工艺相结合,总结了一种在本征GaAs衬底上进行β-Ga2O3纳米点阵薄膜制备的工艺,该工艺不涉及金属催化剂与复杂刻蚀,工艺更为简单.使用扫描电子显微镜对所制备薄膜的形貌特征进行了表征与分析,发现所制备的纳米点阵薄膜呈现五方的柱状结构.对所制备样品进行了 X射线衍射、拉曼振动、光致发光谱的测试,结果表明薄膜的晶体质量随着MOCVD生长温度与Ⅵ/Ⅲ比的提高而得到优化.使用有限元法(FEM)仿真验证了 β-Ga2O3纳米点阵薄膜制备的高陷光特点.
文献关键词：
β-Ga2O3;MOCVD;纳米点阵薄膜
中图分类号：
作者姓名：
陈威;焦腾;李赜明;刁肇悌;李政达;党新明;陈佩然;董鑫
作者机构：
吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室,长春130012
文献出处：
引用格式：
[1]陈威;焦腾;李赜明;刁肇悌;李政达;党新明;陈佩然;董鑫-.GaAs衬底上β-Ga2O3纳米点阵薄膜的MOCVD制备)[J].半导体光电,2022(03):438-443
A类：
纳米点阵薄膜
B类：
GaAs,衬底,Ga2O3,MOCVD,热氧化,薄膜制备,金属催化剂,刻蚀,形貌特征,五方,柱状结构,备样,拉曼振动,光致发光谱,晶体质量,有限元法,FEM,仿真验证
AB值：
0.284616
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