典型文献
沉积温度和氢气浓度对CVD法合成Ti3SiC2涂层的影响
文献摘要：
以TiCl4-CH3SiCl3-H2-Ar作为前驱体体系,石墨片为基底,采用化学气相沉积法(CVD)制备了Ti3 SiC2涂层,研究了沉积温度和氢气浓度α的变化对涂层沉积速率的影响,通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱分析仪(XPS)对涂层形貌及组成进行了分析.研究结果表明:在1273～1373 K,涂层沉积速率随温度上升而增加;在1373～1423 K,涂层沉积速率随温度上升而减小.当α为40％～50％时,涂层沉积速率随α增加而减小;α为50％～70％时,涂层沉积速率随α增加而增加.当温度为1373 K,α为50％时,涂层以Ti3SiC2相为主,呈板状结构.基于微观形貌及组成分析的结果,提出了TiCl4-CH3 SiCl3-H2-Ar作为前驱体体系制备Ti3 SiC2涂层的主要反应路径.
文献关键词：
CVD;Ti3SiC2涂层;沉积温度;氢气浓度;前驱体反应路径
中图分类号：
作者姓名：
朱界;茅思佳;刘瑶瑶;王梦千;李爱军;彭雨晴
作者机构：
上海大学材料科学与工程学院材料所,上海 200444
文献出处：
引用格式：
[1]朱界;茅思佳;刘瑶瑶;王梦千;李爱军;彭雨晴-.沉积温度和氢气浓度对CVD法合成Ti3SiC2涂层的影响)[J].材料科学与工程学报,2022(06):961-968
A类：
CH3SiCl3,SiCl3,前驱体反应路径
B类：
沉积温度,氢气浓度,CVD,Ti3SiC2,TiCl4,H2,Ar,石墨片,化学气相沉积法,沉积速率,EDS,光电子能谱分析,XPS,涂层形貌,板状结构,微观形貌,组成分析
AB值：
0.197198
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