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后退火时间对磁控溅射制备β-Ga2O3薄膜材料的影响
文献摘要:
第三代半导体β-Ga2O3因其优异的性质在近年来备受国内外的关注,而获得质量较好的β-Ga2 O3薄膜也就成了其广泛应用的关键.本文采用射频磁控溅射方法,以C面蓝宝石(Al2O3)为衬底制备β-Ga2O3薄膜,并研究后退火工艺中退火时间对制得的β-Ga2O3薄膜材料的影响.XRD和AFM表征结果表明,随着退火时间的增加,薄膜的衍射峰强度表现为先增大后减小再增大的特性,半峰宽为先增大后减小,而晶粒尺寸与半峰宽相反;薄膜表面粗糙程度呈现先下降后上升的趋势.另外,利用积分球式分光光度计测试了薄膜的光学特性,结果表明薄膜的吸收光谱存在两个吸收峰值,分别位于250 nm和300 nm附近处,在深紫外区域有较好的吸收特性.
文献关键词:
β-Ga2O3薄膜;射频磁控溅射;退火时间;衍射峰强度;光学特性
中图分类号:
作者姓名:
杨赉;高灿灿;杨发顺;马奎
作者机构:
贵州大学电子科学系,贵阳550025;贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳550025;半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心,贵阳550025
文献出处:
引用格式:
[1]杨赉;高灿灿;杨发顺;马奎-.后退火时间对磁控溅射制备β-Ga2O3薄膜材料的影响)[J].原子与分子物理学报,2022(05):113-118
A类:
B类:
后退火,退火时间,Ga2O3,薄膜材料,第三代半导体,射频磁控溅射,蓝宝石,Al2O3,衬底,退火工艺,AFM,衍射峰强度,半峰宽,晶粒尺寸,表面粗糙,先下,积分球,分光光度计,计测,光学特性,吸收光谱,吸收峰,近处,深紫外,外区域,吸收特性
AB值:
0.290408
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