典型文献
金刚石衬底上GaN HEMT沟道温度建模:各向异性且非均匀热导率的影响
文献摘要：
为了改善GaN HEMT的自热效应,集成高热导率的金刚石衬底有助于增强器件有源区的热量耗散.然而,化学气相淀积(CVD)生长的多晶金刚石(PCD)具有柱状晶粒结构,导致了各向异性的材料热导率,且其热导率值与生长厚度有关.为此,通过建模金刚石生长过程中晶粒尺寸的演变过程,计算了金刚石沿面内和截面方向的热导率.基于该PCD热导率模型,利用计入材料非线性热导率的GaN器件热阻解析模型,计算得到了GaN HEMT沟道温度的波动范围,并分析了其与器件结构(栅长、栅宽、栅间距、衬底厚度)和功耗的依赖关系.最后,通过与有限元(FEM)仿真结果对比,分区域提取了GaN HEMT器件中PCD衬底的有效热导率,分别为260～310 W/(m·K)和1250～1450 W/(m·K).本文的计算为预测金刚石衬底上GaN HEMT器件的沟道温度提供了快速、有效的方法.
文献关键词：
GaN HEMT;沟道温度;各向异性;热导率;解析模型;器件热阻
中图分类号：
作者姓名：
李姚;郑子轩;蒲红斌
作者机构：
西安理工大学电子工程系,西安 710048;西安电子科技大学宽带隙半导体材料教育部重点实验室,西安 710071;西安市电力电子器件与高效电能变换重点实验室,西安 710048
文献出处：
引用格式：
[1]李姚;郑子轩;蒲红斌-.金刚石衬底上GaN HEMT沟道温度建模:各向异性且非均匀热导率的影响)[J].人工晶体学报,2022(02):222-228
A类：
B类：
金刚石,衬底,GaN,HEMT,沟道温度,温度建模,各向异性,非均匀,自热效应,高热,增强器,有源,源区,耗散,CVD,多晶,PCD,柱状晶,晶粒结构,石生,生长过程,晶粒尺寸,计入,材料非线性,器件热阻,解析模型,波动范围,器件结构,功耗,依赖关系,FEM,结果对比,区域提取,有效热导率
AB值：
0.320769
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
