典型文献
海马体启发的与光照时长相关的记忆器件用于神经编码
文献摘要：
本文在海马体的启发下设计了一种与光照时长相关的记忆器件.与常规的持续性正/负电导不同,基于类网状二硫化钼沟道层的记忆器件表现出随光照时长逐渐降低的正光电导.由于光照下缺陷诱导的捕获陷阱会在阳极附近形成耗尽层,导致局部电场畸变,从而使载流子分离效率净降低,该器件表现出随光照时长先增加后降低的光响应,而且再次光激发的响应电流低于前一次光激发的电流,即再次光激发读出电流与前一次光照时长相关.因此在405 nm激光光照下该器件可用于光照时长编码和模拟压力诱导下的完整记忆行为包括记忆编码、存储和再检索.此外,通过再引入450 nm激光可以实现光照时长编码的加密与解密,同时也可以进一步模拟压力引发的相应激素对记忆的影响.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
李彩虹;杜文;刘和桩;杨茂;徐浩;巫江;王志明
作者机构：
文献出处：
引用格式：
[1]李彩虹;杜文;刘和桩;杨茂;徐浩;巫江;王志明-.海马体启发的与光照时长相关的记忆器件用于神经编码)[J].中国科学：材料科学（英文）,2022(04):1087-1093
A类：
B类：
海马体,长相,神经编码,发下,下设,负电,二硫化钼,沟道,正光,光电导,照下,陷阱,阳极,耗尽层,电场畸变,载流子分离,分离效率,光响应,光激发,应电流,读出,长编,拟压力,整记,记忆行为,再引入,加密与解密
AB值：
0.408044
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