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石墨烯及石墨烯/氮化硼的电子结构特性研究
文献摘要：
化学气相沉积法生长的单层石墨烯具有卓越的力学、热学和电学特性,成为新一代纳米器件的首选材料.对石墨烯电子特性的理论研究有利于推动纳米器件的发展与应用.本文基于密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的方法,系统地研究了石墨烯及石墨烯/氮化硼的电子结构特性.结果表明,在高对称K点,带隙为零.在50～400 K范围内,由于费米面的电声子散射作用,单层石墨烯的迁移率随着温度增加呈现显著下降趋势.此外,通过对不同层间距的石墨烯/氮化硼结构的能带、态密度、电子密度等特性分析,发现随着层间距增加,能带间隙减小,导带与价带间的能量差减小.随着原子个数的增加,石墨烯/氮化硼超胞结构与原胞结构的带隙开度变化规律一致,这对石墨烯基器件的结构设计具有一定的指导意义.
文献关键词：
石墨烯;氮化硼;密度泛函理论;化学气相沉积;迁移率;层间耦合;电子结构;二维材料
中图分类号：
作者姓名：
齐越;王俊强;朱泽华;武晨阳;李孟委
作者机构：
中北大学仪器与电子学院,太原 030051;中北大学前沿交叉科学研究院,太原 030051
文献出处：
引用格式：
[1]齐越;王俊强;朱泽华;武晨阳;李孟委-.石墨烯及石墨烯/氮化硼的电子结构特性研究)[J].人工晶体学报,2022(04):620-627,636
A类：
B类：
氮化硼,电子结构,结构特性,化学气相沉积法,热学,电学特性,选材,电子特性,发展与应用,基于密度,密度泛函理论,非平衡格林函数,带隙,费米,米面,电声,声子,迁移率,层间距,态密度,电子密度,导带,价带,开度变化,石墨烯基,层间耦合,二维材料
AB值：
0.321651
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