典型文献
CCD电子辐照效应三维蒙特卡罗模拟研究
文献摘要：
CCD易受空间环境中高能电子辐射的影响,造成性能下降和工作异常,针对此问题,选取某国产N沟道3相多晶硅交迭栅、帧转移结构CCD开展了电子辐照效应研究.采用三维蒙特卡罗软件FLUKA建立电子辐照CCD的组成材料Si和SiO2模型,仿真模拟电子和材料相互作用的物理过程,计算不同能量电子在Si和SiO2中的总质量阻止本领和射程,与文献理论计算结果对比验证了本文仿真方法的正确性.建立CCD像元阵列的三维模型,模拟计算不同能量电子在CCD中能量沉积过程的影响,以及像元间有无边界对电子在CCD像元中平均原子离位(DPA)的影响,分析了辐照损伤差异产生的机理.结果表明,靠近入射点的像元能量沉积最大处对应的入射电子能量较小;对于无边界像元,电子辐照产生的DPA随入射深度的增加先增加后减小,而在有边界像元中产生的DPA随入射深度的增加先减小后增加,并且随入射深度的增加无边界像元中产生的DPA与有边界像元中产生的DPA差值越来越小.
文献关键词：
电荷耦合器件;电子辐照;FLUKA;阻止本领;射程;能量沉积;平均原子离位
中图分类号：
作者姓名：
谭群;范杰清;赵强;张芳;李尧;郝建红;董志伟
作者机构：
华北电力大学 电气与电子工程学院,北京 102206;北京应用物理与计算数学研究所,北京 100094
文献出处：
引用格式：
[1]谭群;范杰清;赵强;张芳;李尧;郝建红;董志伟-.CCD电子辐照效应三维蒙特卡罗模拟研究)[J].强激光与粒子束,2022(04):111-116
A类：
平均原子离位
B类：
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AB值：
0.334124
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