典型文献
高质量硼掺杂单晶金刚石同质外延及电学性质研究
文献摘要：
突破高质量、高效金刚石掺杂技术是实现高性能金刚石功率电子器件的前提.本文利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,以三甲基硼为掺杂源,制备出表面粗糙度0.35 nm,XRD(004)摇摆曲线半峰全宽28.4 arcsec,拉曼光谱半峰全宽3.05 cm-1的高质量硼掺杂单晶金刚石.通过改变气体组分中硼元素的含量,实现了1016～1020 cm-3的p型金刚石可控掺杂工艺.随后,研究了硼碳比、生长温度、甲烷浓度等工艺条件对p型金刚石电学特性的影响,结果表明:在硼碳比20×10-6、生长温度1100℃、甲烷浓度8％、腔压160 mbar(1 mbar=100 Pa)时p型金刚石迁移率达到207 cm2/(V·s).通过加氧生长可以提升硼掺杂金刚石结晶质量,降低杂质散射.当氧气浓度为0.8％时,样品空穴迁移率提升至614 cm2/(V·s).
文献关键词：
单晶金刚石;p型掺杂;硼掺杂;MPCVD;同质外延;硼碳比;甲烷浓度;硼氧共掺;空穴迁移率
中图分类号：
作者姓名：
王若铮;闫秀良;彭博;林芳;魏强;王宏兴
作者机构：
西安交通大学,电子物理与器件教育部重点实验室,西安 710049;西安交通大学电子与信息学部,宽禁带半导体与量子器件研究所,西安 710049
文献出处：
引用格式：
[1]王若铮;闫秀良;彭博;林芳;魏强;王宏兴-.高质量硼掺杂单晶金刚石同质外延及电学性质研究)[J].人工晶体学报,2022(05):893-900
A类：
可控掺杂,硼碳比,硼氧共掺
B类：
硼掺杂,单晶金刚石,同质外延,电学性质,杂技,功率电子器件,利用微,微波等离子体化学气相沉积,MPCVD,出表,表面粗糙度,摇摆曲线,半峰全宽,arcsec,拉曼光谱,气体组分,硼元素,掺杂工艺,甲烷浓度,工艺条件,电学特性,mbar,Pa,加氧,结晶质量,氧气浓度,空穴迁移率
AB值：
0.24464
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