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基于p-SnO帽层栅的高阈值增强型AlGaN/GaN HEMTs
文献摘要：
目前,p-GaN帽层技术是实现增强型GaN基HEMT的主流商用技术,但Mg掺杂难激活以及刻蚀损伤等因素限制了器件性能的进一步提升,因此高性能、低成本的增强型帽层技术具有重要的研究意义.本文采用p型氧化亚锡(p-SnO)代替p-GaN作为栅帽层引入AlGaN/GaN HEMT,并通过Silvaco器件仿真和实验验证两方面系统研究了器件的电学性能.仿真结果 显示,通过简单改变p-SnO的厚度(50-200 nm)或掺杂浓度(3×1017-3×1018cm-3),可以实现器件阈值电压在0-10 V范围内连续可调,同时器件的漏极电流密度超过120 mA mm-1,栅击穿和器件击穿电压分别达到7.5和2470 V.在此基础上,我们实验制备了基于磁控溅射p-SnO帽层的AlGaN/GaN HEMT,未经优化的器件测得了1 V的阈值电压、4.2 V的栅击穿电压和420 V的器件击穿电压,证实了p-SnO薄膜作为增强型GaN基HEMT栅帽层的应用潜力,为进一步提升增强型AlGaN/GaN HEMT性能,同时降低成本奠定了基础.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
陈大正;袁鹏;赵胜雷;刘爽;辛倩;宋秀峰;颜世琪;张雅超;习鹤;朱卫东;张苇杭;张家祺;周弘;张春福;张进成;郝跃
作者机构：
文献出处：
引用格式：
[1]陈大正;袁鹏;赵胜雷;刘爽;辛倩;宋秀峰;颜世琪;张雅超;习鹤;朱卫东;张苇杭;张家祺;周弘;张春福;张进成;郝跃-.基于p-SnO帽层栅的高阈值增强型AlGaN/GaN HEMTs)[J].中国科学：材料科学（英文）,2022(03):795-802
A类：
B类：
SnO,增强型,AlGaN,HEMTs,商用,Mg,刻蚀,蚀损,器件性能,研究意义,氧化亚锡,Silvaco,器件仿真,电学性能,掺杂浓度,1018cm,阈值电压,电流密度,mA,击穿电压,压分,实验制备,磁控溅射,降低成本
AB值：
0.304641
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