典型文献
通过二维层状结构搭建能量和声子势垒提高InSb热电性能
文献摘要：
InSb是一种具有闪锌矿结构的窄带隙半导体,在光电探测器、红外热成像、霍尔器件等领域有着广泛的应用.良好的能带结构、超高的电子迁移率和无毒性质表明InSb可能是一种潜在的中温热电材料.InSb当前面临着一些关键挑战,如高导热系数和小Seebeck系数,导致其超高的晶格导热系数,进而低的ZT值.鉴于此,我们发展了一种zwt％QSe2(Q = Sn,W)纳米复合的高效策略,即通过对二维层状QSe2的纳米复合,在InSb体系中引入QIn+和Sesb+点缺陷.此外,本征WSe2的价带作为势垒可以散射相当数量的空穴载流子,导致本征激发阶段的Seebeck系数升高.此外,无序分布的纳米片/粒子和位错可以有效地阻碍热流扩散,形成热声子的强散射.结果表明,3％WSe2样品的功率因子提高到～33.3 μW cm-1 K-2,733 K时ZT值提高到～0.82,工程输出功率密度ωmax～233 μW cm-2,工程热电转换效率η～5.2％.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
辛集武;李旺;李思慧;陶阳;许天;罗裕波;姜庆辉;魏磊;杨君友
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文献出处：
引用格式：
[1]辛集武;李旺;李思慧;陶阳;许天;罗裕波;姜庆辉;魏磊;杨君友-.通过二维层状结构搭建能量和声子势垒提高InSb热电性能)[J].中国科学：材料科学（英文）,2022(05):1353-1361
A类：
zwt,QSe2,QIn+,Sesb+
B类：
二维层状结构,和声,声子,势垒,InSb,热电性能,闪锌矿,窄带隙,光电探测器,红外热成像,霍尔器件,能带结构,电子迁移率,无毒性,温热,热电材料,关键挑战,高导热,导热系数,Seebeck,晶格,ZT,Sn,纳米复合,高效策略,点缺陷,WSe2,价带,空穴,载流子,纳米片,位错,地阻,热流,热声,强散射,功率因子,输出功率密度,max,热电转换,转换效率
AB值：
0.438231
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