典型文献
单层MoS2和WS2的太赫兹近场显微成像研究
文献摘要：
采用太赫兹散射式扫描近场光学显微镜(THz s-SNOM)研究了化学气相沉积法制备的单层MoS2和WS2晶粒的太赫兹近场响应.在没有可见光激发时,未探测到可分辨的太赫兹近场响应,说明晶粒具有较低的掺杂载流子浓度.有可见光激发时,由于光生载流子的太赫兹近场响应,能够测得与晶粒轮廓完全吻合的太赫兹近场显微图.在相同的光激发条件下,MoS2的太赫兹近场响应强于WS2,反映了两者之间载流子浓度或迁移率的差异.研究结果表明,THz s-SNOM兼具超高的空间分辨率和对光生载流子的灵敏探测能力,对二维半导体材料和器件光电特性的微观机理研究具有独特的优势.
文献关键词：
太赫兹散射式近场光学显微镜;二硫化钼;二硫化钨;光生载流子分布;近场成像
中图分类号：
作者姓名：
叶鑫林;游冠军
作者机构：
上海理工大学 光电信息与计算机工程学院,上海 200093
文献出处：
引用格式：
[1]叶鑫林;游冠军-.单层MoS2和WS2的太赫兹近场显微成像研究)[J].光学仪器,2022(01):63-69
A类：
近场光学显微镜,太赫兹散射式近场光学显微镜,光生载流子分布,载流子分布
B类：
MoS2,WS2,显微成像,THz,SNOM,化学气相沉积法,晶粒,可见光,光激发,载流子浓度,显微图,发条,迁移率,空间分辨率,探测能力,二维半导体材料,半导体材料和器件,光电特性,微观机理,二硫化钼,二硫化钨,近场成像
AB值：
0.221784
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