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典型文献
4H碳化硅单晶中的位错
文献摘要:
4H碳化硅(4H-SiC)单晶具有禁带宽度大、载流子迁移率高、热导率高和稳定性良好等优异特性,在高功率电力电子、射频/微波电子和量子信息等领域具有广阔的应用前景.经过多年的发展,6英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC单晶衬底和同质外延薄膜已得到了产业化应用.然而,4H-SiC单晶中的总位错密度仍高达103~104 cm-2,阻碍了4H-SiC单晶潜力的充分发挥.本文介绍了4H-SiC单晶中位错的主要类型,重点讲述4H-SiC单晶生长、衬底晶圆加工以及同质外延过程中位错的产生、转变和湮灭机理,并概述4H-SiC单晶中位错的表征方法,最后讲述了位错对4H-SiC单晶衬底和外延薄膜的性质,以及4H-SiC基功率器件性质的影响.
文献关键词:
4H碳化硅;位错;单晶;外延;电学性质;光学性质
作者姓名:
杨光;刘晓双;李佳君;徐凌波;崔灿;皮孝东;杨德仁;王蓉
作者机构:
浙江理工大学物理系,浙江省光场调控技术重点实验室,杭州 310018;浙江大学杭州国际科创中心,杭州 311200;浙江大学材料科学与工程学院,硅材料国家重点实验室,杭州 310027
文献出处:
引用格式:
[1]杨光;刘晓双;李佳君;徐凌波;崔灿;皮孝东;杨德仁;王蓉-.4H碳化硅单晶中的位错)[J].人工晶体学报,2022(09):1673-1690
A类:
B类:
4H,碳化硅,硅单晶,SiC,禁带宽度,载流子迁移率,热导率,高功率,电力电子,量子信息,英寸,单晶衬底,同质外延,外延薄膜,已得,产业化应用,位错密度,主要类型,单晶生长,晶圆,湮灭,表征方法,功率器件,电学性质,光学性质
AB值:
0.301757
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