典型文献
基于通孔双面分步填充的TSV制备方法
文献摘要：
以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D集成技术是未来高密度封装的主导技术,但是现有的TSV制备技术需依赖高难度的技术和昂贵的设备.提出了一种通孔双面分步填充工艺,先将通孔的一端电镀封口,然后再从另外一端进行电镀填充.此方法避免了难度很高的大深宽比孔中的种子层制备和自底向上的电镀工艺,降低了加工难度.通过工艺改进解决了狭缝缺陷和凸起/空洞缺陷问题,得到了无孔隙的填充孔径为30 μm、孔深为300 μm、深宽比为10 ∶1的TSV阵列.通过电学实验测量了所得TSV的电阻.实验结果证明了其填充效果和导电能力,为实现超小型化封装提供了新的技术思路.
文献关键词：
硅通孔(TSV);通孔双面分步填充;电镀;缺陷;电阻率
中图分类号：
作者姓名：
田苗;栾振兴;陈舒静;刘民;王凤丹;程秀兰
作者机构：
上海交通大学 电子信息与电气工程学院先进电子材料与器件平台,上海 200240
文献出处：
引用格式：
[1]田苗;栾振兴;陈舒静;刘民;王凤丹;程秀兰-.基于通孔双面分步填充的TSV制备方法)[J].半导体技术,2022(08):636-641
A类：
通孔双面分步填充
B类：
TSV,制备方法,硅通孔,5D,集成技术,高密度封装,主导技术,制备技术,高难度,昂贵,填充工艺,一端,封口,大深宽比,种子层,底向上,电镀工艺,加工难度,工艺改进,狭缝,凸起,空洞缺陷,缺陷问题,孔深,深为,电学实验,实验测量,填充效果,导电能力,超小型化,电阻率
AB值：
0.410634
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