典型文献
钨化学气相沉积工艺过程中的缺陷研究
文献摘要：
阐述在半导体制造过程中,钨化学气相沉积工艺由于其在接触孔/通孔中优良的填孔能力而被广泛应用于芯片制造中,在钨薄膜淀积过程中会出现因硅烷(SiH4)/氟化钨(WF6)比例不同而造成的缺陷问题.探讨硅烷(SiH4)过量而产生的气相成核(GPN)颗粒缺陷及氟化钨(WF6)扩散至氮化钛薄膜下底与钛和硅反应生成钛氟化物(TiF3/TiF4)或者硅氟化物(SiF4)的腐蚀缺陷(火山效应)以及对其产生机理进行了简要概述,并对其缺陷的产生提出了有效的改善方法.
文献关键词：
集成电路制造;钨薄膜;化学气相沉积;气相成核颗粒;"火山效应"缺陷
中图分类号：
作者姓名：
季连涛
作者机构：
上海华虹宏力半导体制造有限公司,上海 201203
文献出处：
引用格式：
[1]季连涛-.钨化学气相沉积工艺过程中的缺陷研究)[J].集成电路应用,2022(01):38-42
A类：
薄膜淀积,WF6,TiF4,SiF4,气相成核颗粒
B类：
化学气相沉积,工艺过程,半导体制造,制造过程,接触孔,通孔,填孔,芯片制造,钨薄膜,现因,硅烷,SiH4,缺陷问题,GPN,颗粒缺陷,氮化钛薄膜,下底,氟化物,TiF3,腐蚀缺陷,火山,产生机理,改善方法,集成电路制造
AB值：
0.38948
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