典型文献
一种基于三维集成电路的多位碳纳米管硅通孔
文献摘要：
针对三维集成电路中各层之间的I/O限制问题,提出了一种新型的三位碳纳米管TSV.首先利用HFSS软件对三位CNT TSV各寄生参数进行了数值计算,与基于理论的数值计算相比,具有较高的精度,各寄生参数的误差大小在3％以内.在ADS中搭建了该结构的等效电路模型,并仿真得出了它的S参数,与HFSS的S参数仿真结果相比误差在1.2％以内.然后基于三位CNT TSV的概念,提出了新的差分型多位CNT TSV.与传统GSSG型TSV以及两种新型双位TSV(G-SS-G型和GS-SG型)相比,所提出的差分型多位CNT TSV节省了芯片面积,提高了集成密度,且具有优越的抗干扰能力和更好的时延性能.最后,对所提出TSV结构进行时域眼图仿真,表明新结构具有良好的信号完整性.
文献关键词：
碳纳米管硅通孔;差分信号传输;等效电路模型;噪声干扰;时域特性
中图分类号：
作者姓名：
关文博;吕红亮;张玉明;张义门
作者机构：
西安电子科技大学 微电子学院, 陕西 西安 710071
文献出处：
引用格式：
[1]关文博;吕红亮;张玉明;张义门-.一种基于三维集成电路的多位碳纳米管硅通孔)[J].电子元件与材料,2022(12):1357-1366
A类：
碳纳米管硅通孔
B类：
三维集成电路,TSV,HFSS,CNT,各寄,寄生参数,ADS,等效电路模型,真得,参数仿真,GSSG,双位,抗干扰能力,时延,延性,眼图,新结构,信号完整性,差分信号传输,噪声干扰,时域特性
AB值：
0.259851
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
