典型文献
基于物理结构的GaN HEMTs小信号等效电路的精确建模方法研究
文献摘要：
为了有效地表征GaN HEMTs在微波频段下的电学特性,研究了其高频等效电路的精确建模方法.基于GaN HEMTs器件的本征物理结构,综合考虑器件在制版过程中由电极和通孔所带来的寄生特性,描述了一种具有26个详细参数网络的小信号等效电路模型.此模型考虑了器件在工作环境下所受到的集肤效应,同时通过对小信号等效电路进行双端口网络参数分析,推导了其准静态近似的微波等效电路参数直接提取的简化算法,最终通过ADS仿真平台将所建模型和传统模型的S参数模拟结果与实测数据的一致性进行对比,验证了小信号等效电路模型的精确性与参数提取算法的有效性.
文献关键词：
GaN HEMTs;物理结构;小信号模型;参数提取;集肤效应
中图分类号：
作者姓名：
缪文韬;王军;刘宇武
作者机构：
西南科技大学 信息工程学院, 四川 绵阳 621010
文献出处：
引用格式：
[1]缪文韬;王军;刘宇武-.基于物理结构的GaN HEMTs小信号等效电路的精确建模方法研究)[J].电子元件与材料,2022(05):531-538
A类：
B类：
物理结构,GaN,HEMTs,小信号等效电路,精确建模,波频,频段,电学特性,制版,通孔,寄生,等效电路模型,集肤效应,双端口,网络参数,参数分析,准静态,简化算法,ADS,仿真平台,传统模型,参数模拟,精确性,参数提取,小信号模型
AB值：
0.308995
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