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先进技术中PMOS镶嵌式源漏锗硅外延工艺的设计
文献摘要：
基于FinFET平台,阐述镶嵌式源漏区锗硅外延工艺L1种子层的优化,通过开发出循环式外延锗硅工艺,对L1种子层B浓度提升带来的选择性失效进行改善,消除掩膜层上生长的附着颗粒.透射电子显微镜下观察整个外延层,特征尺寸达到要求,沟槽内的填充饱满,能有效降低源漏区的接触电阻,从而使三维FinFET器件的性能得到提升.
文献关键词：
集成电路制造;外延工艺;掩膜层;FinFET
中图分类号：
作者姓名：
周利民;陈勇跃
作者机构：
上海华力集成电路制造有限公司,上海 201203
文献出处：
引用格式：
[1]周利民;陈勇跃-.先进技术中PMOS镶嵌式源漏锗硅外延工艺的设计)[J].集成电路应用,2022(05):17-19
A类：
B类：
先进技术,PMOS,镶嵌,硅外延,外延工艺,FinFET,L1,种子层,循环式,掩膜层,上生,透射电子显微镜,显微镜下,外延层,特征尺寸,沟槽,槽内,饱满,接触电阻,集成电路制造
AB值：
0.394791
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