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90 nm SOI nMOSFET自加热效应研究
文献摘要：
应用超快脉冲I-V测试系统对不同宽长比的90 nm绝缘体上硅(SOI)nMOSFET的自加热效应展开研究,根据瞬态和稳态漏源电流-漏源电压(Ids-Vds)特性的对比结果,分析器件受自加热影响的程度.测试结果显示,宽长比为10 μm/0.09 μm的器件在漏源电压为1.3 V左右时才出现稳态漏源电流比瞬态值明显降低的现象,两者之差随着漏源电压的增加而增加.当漏源电压增至工作电压1.5 V时,瞬态漏源电流比稳态值高3.59％.在栅长相同的条件下,栅宽越短,自加热现象越不明显.进而发现接触孔和金属互连线是器件在测试时快速散热的关键路径,并通过温度分布的仿真结果加以证实.改变器件的环境温度,根据温度与瞬态漏源电流的测试结果计算得到宽长比为10 μm/0.09 μm的器件在室温条件下的沟道温升为33 K.
文献关键词：
绝缘体上硅(SOI);nMOSFET;自加热效应;接触孔;金属互连线
中图分类号：
作者姓名：
王娟娟;李江江;曾传滨;李逸帆;倪涛;罗家俊;赵发展
作者机构：
中国科学院微电子研究所,北京 100029;中国科学院硅器件技术重点实验室,北京 100029;中国科学院大学,北京 100049
文献出处：
引用格式：
[1]王娟娟;李江江;曾传滨;李逸帆;倪涛;罗家俊;赵发展-.90 nm SOI nMOSFET自加热效应研究)[J].半导体技术,2022(05):369-372,380
A类：
nMOSFET,自加热效应,Ids,孔和金
B类：
SOI,超快,快脉冲,测试系统,绝缘体上硅,瞬态和稳态,Vds,分析器,热影响,电流比,增至,工作电压,长相,越短,热现象,接触孔,金属互连线,散热,关键路径,温度分布,结果计算,沟道
AB值：
0.293181
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