典型文献
SiGe HBT单粒子效应关键影响因素数值仿真
文献摘要：
针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),采用半导体三维器件数值仿真工具,建立单粒子效应三维损伤模型,研究SiGe HBT单粒子效应的损伤机理,以及空间极端环境与器件不同工作模式耦合作用下的单粒子效应关键影响因素.分析比较不同条件下离子入射器件后,各端口瞬态电流的变化情况,仿真实验结果表明,不同工作电压下,器件处于不同极端温度、不同离子辐射环境,其单粒子瞬态的损伤程度有所不同,这与器件内部在不同环境下的载流子电离情况有关.
文献关键词：
锗硅异质结双极晶体管;单粒子效应;极端环境;数值仿真
中图分类号：
作者姓名：
张晋新;郭红霞;吕玲;王信;潘霄宇
作者机构：
西安电子科技大学 极端环境下装备效能教育部重点实验室,陕西 西安 710126;西北核技术研究所,陕西 西安 710024;中国科学院 新疆理化技术研究所,新疆 乌鲁木齐 830011
文献出处：
引用格式：
[1]张晋新;郭红霞;吕玲;王信;潘霄宇-.SiGe HBT单粒子效应关键影响因素数值仿真)[J].太赫兹科学与电子信息学报,2022(09):869-876
A类：
锗硅异质结双极晶体管
B类：
SiGe,HBT,单粒子效应,关键影响因素,素数,件数,仿真工具,损伤模型,损伤机理,极端环境,模式耦合,耦合作用,不同条件下,入射,射器,端口,瞬态电流,工作电压,极端温度,同离子,辐射环境,单粒子瞬态,不同环境,载流子,电离,离情
AB值：
0.292371
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