典型文献
基于CMOS SOI工艺的低插入损耗的射频开关设计
文献摘要：
基于0.13μm RF SOI CMOS工艺,提出了一种应用于LTE_TDD/FDD接收发射模块的低插入损耗的单刀双掷(SPDT)射频开关电路.该电路通过使用绝缘体上硅(SOI)工艺,以及特殊的MOS器件,让设计的开关具有比传统CMOS器件拥有更好的隔离性能,同时实现了更低的插入损耗,该电路通过流片后验证,在0.1～3GHz的频率范围内,插入损耗都低于0.5dB,隔离度平均大于30dB,输入功率0.1dB压缩点达到了34dBm,可以满足4代通信的标准.
文献关键词：
集成电路设计;SOI工艺;单刀双掷开关;输入损耗;隔离度
中图分类号：
作者姓名：
肖磊
作者机构：
上海电力大学,上海 201306
文献出处：
引用格式：
[1]肖磊-.基于CMOS SOI工艺的低插入损耗的射频开关设计)[J].集成电路应用,2022(02):1-3
A类：
34dBm,输入损耗
B类：
CMOS,SOI,低插入损耗,射频开关,RF,LTE,TDD,FDD,收发,SPDT,开关电路,路通,绝缘体上硅,隔离性,过流,流片,3GHz,5dB,隔离度,30dB,输入功率,1dB,集成电路设计,单刀双掷开关
AB值：
0.403365
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