典型文献
基于MIS电容器的Al2O3与In0.74Al0.26As的界面特性
文献摘要：
采用In0.74Al0.26As/In0.74Ga0.26As/InxAl1-xAs异质结构多层半导体作为半导体层,制备了金属-绝缘体-半导体(MIS)电容器.其中,SiNx和SiNx/Al2O3分别作为MIS电容器的绝缘层.高分辨率透射电子显微镜和X射线光电子能谱的测试结果表明,与通过电感耦合等离子体化学气相沉积生长的SiNx相比,通过原子层沉积生长的Al2O3可以有效地抑制Al2O3和In0.74Al0.26As界面的In2O3的含量.根据MIS电容器的电容-电压测量结果,计算得到SiNx/Al2O3/In0.74Al0.26As的快界面态密度比SiNx/In0.74Al0.26As的快界面态密度低一个数量级.因此,采用原子层沉积生长的Al2O3作为钝化膜可以有效地降低Al2O3和In0.74Al0.26As之间的快界面态密度,从而降低In0.74Ga0.26As探测器的暗电流.
文献关键词：
InAlAs;原子层沉积;Al2O3;SiNx;金属-绝缘体-半导体电容器;界面态密度
中图分类号：
作者姓名：
万露红;邵秀梅;李雪;顾溢;马英杰;李淘
作者机构：
中国科学院上海技术物理研究所传感器技术国家重点实验室,上海200083;中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院大学,北京100049
文献出处：
引用格式：
[1]万露红;邵秀梅;李雪;顾溢;马英杰;李淘-.基于MIS电容器的Al2O3与In0.74Al0.26As的界面特性)[J].红外与毫米波学报,2022(02):384-388
A类：
74Al0,26As,74Ga0,InxAl1
B类：
MIS,Al2O3,In0,界面特性,xAs,异质结构,绝缘体,SiNx,绝缘层,透射电子显微镜,光电子能谱,电感耦合等离子体,等离子体化学气相沉积,沉积生长,原子层沉积,In2O3,电容器的电容,电压测量,界面态密度,密度比,数量级,钝化膜,探测器,暗电流,InAlAs
AB值：
0.186535
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